Name: FDMS4D0N12C
Brand: onsemi
SKU: FDMS4D0N12COSTR-ND
Price: 9.13 CAD
Availability: InStock

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FDMS4D0N12C
Numéro de produit DigiKey	FDMS4D0N12COSTR-ND - Bande et bobine FDMS4D0N12COSCT-ND - Bande coupée (CT) FDMS4D0N12COSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDMS4D0N12C
Description	MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	45 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 120 V 18,5 A (Ta), 114 A (Tc) 2,7W (Ta), 106W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (5x6)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 370 A
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 82 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6460 pF @ 60 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,7W (Ta), 106W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 120 V	Boîtier fournisseur 8-PQFN (5x6)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18,5 A (Ta), 114 A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base FDMS4
Rds On (max.) à Id, Vgs 4mohms à 67A, 10V