Name: FDMC86116LZ
Brand: onsemi
SKU: FDMC86116LZTR-ND
Price: 2.7 CAD
Availability: InStock

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FDMC86116LZ
Numéro de produit DigiKey	FDMC86116LZTR-ND - Bande et bobine FDMC86116LZCT-ND - Bande coupée (CT) FDMC86116LZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDMC86116LZ
Description	MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 3,3 A (Ta), 7,5 A (Tc) 2,3W (Ta), 19W (Tc) Montage en surface 8-MLP (3,3x3,3)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 310 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,3W (Ta), 19W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur 8-MLP (3,3x3,3)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,3 A (Ta), 7,5 A (Tc)	Boîtier 8-PowerWDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base FDMC86116
Rds On (max.) à Id, Vgs 103mohms à 3,3A, 10V