Name: FDD86367-F085
Brand: onsemi
SKU: FDD86367-F085TR-ND
Price: 4.81 CAD
Availability: InStock

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FDD86367-F085
Numéro de produit DigiKey	FDD86367-F085TR-ND - Bande et bobine FDD86367-F085CT-ND - Bande coupée (CT) FDD86367-F085DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDD86367-F085
Description	MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	37 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 100 A (Tc) 227W (Tj) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDD86367-F085 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 88 nC @ 10 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±20V
Série PowerTrench®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4840 pF @ 40 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 227W (Tj)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-252AA
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,2mohms à 80A, 10V	Numéro de produit de base FDD86367
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA