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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
FDD5N50TM-WS | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FDD5N50TM-WSTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FDD5N50TM-WS |
Description | MOSFET N-CH 500V 4A DPAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 500 V 4 A (Tc) 40W (Tc) Montage en surface TO-252AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | FDD5N50TM-WS Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 640 pF @ 25 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 40W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 500 V | Boîtier fournisseur TO-252AA |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,4ohms à 2A, 10V |
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Substituts (11)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FDD5N50NZTM | onsemi | 4 748 | FDD5N50NZTMCT-ND | 2,66000 $ | Recommandation fabricant |
| IRFR430APBF | Vishay Siliconix | 958 | IRFR430APBF-ND | 4,34000 $ | Similaire |
| IRFR430ATRLPBF | Vishay Siliconix | 0 | IRFR430ATRLPBF-ND | 1,45861 $ | Similaire |
| IRFR430ATRPBF | Vishay Siliconix | 1 748 | IRFR430ATRPBFCT-ND | 4,34000 $ | Similaire |
| RJK5030DPD-00#J2 | Renesas Electronics Corporation | 0 | RJK5030DPD-00#J2-ND | 1,18440 $ | Similaire |
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