Name: FDD1600N10ALZ
Brand: onsemi
SKU: FDD1600N10ALZTR-ND
Price: 2.54 CAD
Availability: InStock

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FDD1600N10ALZ
Numéro de produit DigiKey	FDD1600N10ALZTR-ND - Bande et bobine FDD1600N10ALZCT-ND - Bande coupée (CT) FDD1600N10ALZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDD1600N10ALZ
Description	MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 6,8 A (Tc) 14,9W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDD1600N10ALZ Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,8V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 3.61 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 225 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 14,9W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 155°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur TO-252AA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6,8 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V, 10V	Numéro de produit de base FDD1600
Rds On (max.) à Id, Vgs 160mohms à 3,4A, 10V