FDB9406-F085 onsemi | FET, MOSFET simples

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FDB9406-F085
Numéro de produit DigiKey	FDB9406-F085TR-ND - Bande et bobine FDB9406-F085CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDB9406-F085
Description	MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 110 A (Tc) 176W (Tj) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDB9406-F085 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 138 nC @ 10 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±20V
Série PowerTrench®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7710 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Dissipation de puissance (max.) 176W (Tj)
Statut du composant Obsolète	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 110 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,8mohms à 80A, 10V	Numéro de produit de base FDB9406
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (13)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
NVMYS1D3N04CTWG	onsemi	3 845	NVMYS1D3N04CTWGOSCT-ND	4,88000 $	Recommandation fabricant
BUK761R6-40E,118	Nexperia USA Inc.	0	1727-7133-2-ND	3,34223 $	Similaire
BUK961R6-40E,118	Nexperia USA Inc.	2 629	1727-1895-1-ND	8,24000 $	Similaire
IPB015N04LGATMA1	Infineon Technologies	18	IPB015N04LGATMA1CT-ND	8,79000 $	Similaire
IPB015N04NGATMA1	Infineon Technologies	326	IPB015N04NGATMA1CT-ND	10,03000 $	Similaire

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Bande coupée (CT)

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