


FDB86366-F085 | |
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Numéro de produit DigiKey | FDB86366-F085TR-ND - Bande et bobine FDB86366-F085CT-ND - Bande coupée (CT) |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FDB86366-F085 |
Description | MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 80 V 110 A (Tc) 176W (Tj) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | FDB86366-F085 Modèles |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 112 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6280 pF @ 40 V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) | Dissipation de puissance (max.) 176W (Tj) |
Statut du composant Obsolète | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 80 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,6mohms à 80A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| NVMFS6H801NLT1G | onsemi | 1 481 | 488-NVMFS6H801NLT1GCT-ND | 5,51000 $ | Recommandation fabricant |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 5,73000 $ | 5,73 $ |
| 10 | 3,75900 $ | 37,59 $ |
| 100 | 2,63580 $ | 263,58 $ |

