Name: FDB33N25TM
Brand: onsemi
SKU: FDB33N25TMTR-ND
Price: 5.19 CAD
Availability: InStock

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FDB33N25TM
Numéro de produit DigiKey	FDB33N25TMTR-ND - Bande et bobine FDB33N25TMCT-ND - Bande coupée (CT) FDB33N25TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDB33N25TM
Description	MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 250 V 33 A (Tc) 235W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDB33N25TM Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 48 nC @ 10 V
Série UniFET™	Vgs (max.) ±30V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2135 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 235W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 250 V	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 33 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base FDB33N25
Rds On (max.) à Id, Vgs 94mohms à 16,5A, 10V