Name: FDB12N50TM
Brand: onsemi
SKU: FDB12N50TMTR-ND
Price: 5.04 CAD
Availability: InStock

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FDB12N50TM
Numéro de produit DigiKey	FDB12N50TMTR-ND - Bande et bobine FDB12N50TMCT-ND - Bande coupée (CT) FDB12N50TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDB12N50TM
Description	MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 500 V 11,5 A (Tc) 165W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 30 nC @ 10 V
Série UniFET™	Vgs (max.) ±30V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1315 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 165W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 500 V	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11,5 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base FDB12N50
Rds On (max.) à Id, Vgs 650mohms à 6A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IXFA12N50P	IXYS	278	IXFA12N50P-ND	9,53000 $	Similaire

En stock: 505

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Quantité

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 9,50 $.

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
800	1,61775 $	1 294,20 $
1 600	1,50297 $	2 404,75 $

Conditionnement standard du fabricant

FDB12N50TM