FDB120N10 onsemi | FET, MOSFET simples

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FDB120N10
Numéro de produit DigiKey	FDB120N10TR-ND - Bande et bobine FDB120N10CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDB120N10
Description	MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 74 A (Tc) 170W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 86 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5605 pF @ 25 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 170W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 74 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base FDB120
Rds On (max.) à Id, Vgs 12mohms à 74A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (7)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IPB144N12N3GATMA1	Infineon Technologies	150	IPB144N12N3GATMA1CT-ND	5,08000 $	Similaire
IRFS4510TRLPBF	Infineon Technologies	1 600	448-IRFS4510TRLPBFTR-ND	1,68581 $	Similaire
PHB27NQ10T,118	Nexperia USA Inc.	4 804	1727-4763-1-ND	3,42000 $	Similaire
PHB45NQ10T,118	Nexperia USA Inc.	1 458	1727-4766-1-ND	4,31000 $	Similaire
PSMN013-100BS,118	Nexperia USA Inc.	174	1727-7104-1-ND	4,17000 $	Similaire

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FDB120N10