Similaire
Similaire
Similaire
Similaire
Similaire




FDB039N06 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FDB039N06TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FDB039N06 |
Description | MOSFET N-CH 60V 120A TO263 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 60 V 120 A (Tc) 231W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Modèles EDA/CAO | FDB039N06 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 133 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 8235 pF @ 25 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 231W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 60 V | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,9mohms à 75A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB029N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | 4 661 | IPB029N06N3GATMA1CT-ND | 4,77000 $ | Similaire |
| IPB037N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | 3 727 | IPB037N06N3GATMA1CT-ND | 4,33000 $ | Similaire |
| IPB80N06S405ATMA2 | Infineon Technologies | 166 | 448-IPB80N06S405ATMA2CT-ND | 4,27000 $ | Similaire |
| NP82N055PUG-E1-AY | Renesas Electronics Corporation | 0 | NP82N055PUG-E1-AYTR-ND | 2,13909 $ | Similaire |
| PSMN4R6-60BS,118 | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-7122-1-ND | 4,71000 $ | Similaire |





