Name: FDB024N08BL7
Brand: onsemi
SKU: FDB024N08BL7TR-ND
Price: 9.26 CAD
Availability: InStock

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FDB024N08BL7
Numéro de produit DigiKey	FDB024N08BL7TR-ND - Bande et bobine FDB024N08BL7CT-ND - Bande coupée (CT) FDB024N08BL7DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDB024N08BL7
Description	MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	48 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 120 A (Tc) 246W (Tc) Montage en surface TO-263-7
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 178 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 13530 pF @ 40 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 246W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Boîtier fournisseur TO-263-7
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)	Boîtier TO-263-7, D2PAK (6 sorties + languette)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base FDB024
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,4mohms à 100A, 10V