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TO-3PN
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FDA28N50F

Numéro de produit DigiKey
FDA28N50F-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
FDA28N50F
Description
MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
Référence client
Description détaillée
Canal N 500 V 28 A (Tc) 310W (Tc) Trou traversant TO-3PN
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
FDA28N50F Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
175mohms à 14A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
5387 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
310W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-3PN
Boîtier
Numéro de produit de base
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Obsolète
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