FCPF190N65S3L1 onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

FCPF190N65S3L1 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FCPF190N65S3L1
Numéro de produit DigiKey	FCPF190N65S3L1-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FCPF190N65S3L1
Description	MOSFET N-CH 650V 14A TO220F-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 14 A (Tc) 33W (Tc) Trou traversant TO-220F-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	SuperFET® III
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	14 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	190mohms à 7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 1,4mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1225 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	33W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220F-3
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	FCPF190