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FCH023N65S3-F155 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FCH023N65S3-F155-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FCH023N65S3-F155 |
Description | MOSFET N-CH 650V 75A TO247 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 16 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 75 A (Tc) 595W (Tc) Trou traversant TO-247-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 7,5mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 222 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7160 pF @ 400 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 595W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur TO-247-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 23mohms à 37,5A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| NVHL025N65S3 | onsemi | 70 | NVHL025N65S3-ND | 32,99000 $ | Similaire |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | 23,92000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 22,87000 $ | 22,87 $ |
| 30 | 13,99933 $ | 419,98 $ |
| 120 | 12,05625 $ | 1 446,75 $ |
| 510 | 11,86533 $ | 6 051,32 $ |





