Name: FCD260N65S3
Brand: onsemi
SKU: 488-FCD260N65S3TR-ND
Price: 4.07 CAD
Availability: InStock

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FCD260N65S3
Numéro de produit DigiKey	488-FCD260N65S3TR-ND - Bande et bobine 488-FCD260N65S3CT-ND - Bande coupée (CT) 488-FCD260N65S3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FCD260N65S3
Description	MOSFET N-CH 650V 12A TO252
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 12 A (Tc) 90W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FCD260N65S3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 1,2mA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 24 nC @ 10 V
Série SuperFET® III	Vgs (max.) ±30V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1010 pF @ 400 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 90W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur TO-252AA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base FCD260
Rds On (max.) à Id, Vgs 260mohms à 6A, 10V