Canal N 60 V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Trou traversant TO-92-3
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BS170

Numéro de produit DigiKey
BS170-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
BS170
Description
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
23 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 60 V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Trou traversant TO-92-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
BS170 Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 1mA
Fabricant
Vgs (max.)
±20V
Conditionnement
En vrac
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
40 pF @ 10 V
Statut du composant
Actif
Dissipation de puissance (max.)
830mW (Ta)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Trou traversant
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Boîtier fournisseur
TO-92-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
5ohms à 200mA, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 28 234
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Tous les prix sont en CAD
En vrac
Quantité Prix unitaire Prix total
10,65000 $0,65 $
100,39900 $3,99 $
1000,25180 $25,18 $
5000,18818 $94,09 $
1 0000,16763 $167,63 $
2 0000,15031 $300,62 $
5 0000,13154 $657,70 $
10 0000,11992 $1 199,20 $
50 0000,09958 $4 979,00 $
Conditionnement standard du fabricant