Name: G3R350MT12J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3R350MT12J-TR-ND
Price: 13.89 CAD
Availability: OutOfStock

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G3R350MT12J-TR
Numéro de produit DigiKey	1913-G3R350MT12J-TR-ND - Bande et bobine 1913-G3R350MT12J-TRCT-ND - Bande coupée (CT) 1913-G3R350MT12J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Navitas Semiconductor, Inc.
Numéro de produit du fabricant	G3R350MT12J-TR
Description	1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 10 A (Tc) 64W (Tc) Montage en surface TO-263-7
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 395mohms à 4A, 18V
Fabricant Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs(th) (max.) à Id 2,7V à 2mA
Série G3R™, LoRing™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 10 nC @ 15 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +22V, -10V
Statut du composant Date de dernière disponibilité	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 331 pF @ 800 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 64W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 1200 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-263-7
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 18V	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA