Name: VP2110K1-G
Brand: Microchip Technology
SKU: VP2110K1-GTR-ND
Price: 1.2 CAD
Availability: InStock

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VP2110K1-G
Numéro de produit DigiKey	VP2110K1-GTR-ND - Bande et bobine VP2110K1-GCT-ND - Bande coupée (CT) VP2110K1-GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Microchip Technology
Numéro de produit du fabricant	VP2110K1-G
Description	MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	4 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 100 V 120mA (Tj) 360mW (Ta) Montage en surface TO-236AB (SOT23)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	VP2110K1-G Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 1mA
Fabricant Microchip Technology	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 60 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 360mW (Ta)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur TO-236AB (SOT23)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120mA (Tj)	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V, 10V	Numéro de produit de base VP2110
Rds On (max.) à Id, Vgs 12ohms à 500mA, 10V