Canal N 100 V 1,2 A (Tj) 740mW (Tc) Trou traversant TO-92-3
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VN2210N3-G

Numéro de produit DigiKey
VN2210N3-G-ND
Fabricant
Microchip Technology
Numéro de produit du fabricant
VN2210N3-G
Description
MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
4 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 100 V 1,2 A (Tj) 740mW (Tc) Trou traversant TO-92-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
VN2210N3-G Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Microchip Technology
Série
-
Conditionnement
Sac
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
1,2 A (Tj)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
350mohms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,4V à 10mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
500 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
740mW (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-92-3
Boîtier
TO-226-3, TO-92-3 boîtier standard (TO-226AA)
Numéro de produit de base
VN2210
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Quantité
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Sac
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253,01520 $75,38 $
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