Canal N 60 V 310mA (Tj) 1W (Tc) Trou traversant TO-92-3
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VN10KN3-G-P003

Numéro de produit DigiKey
VN10KN3-G-P003-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
VN10KN3-G-P003
Description
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
4 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 60 V 310mA (Tj) 1W (Tc) Trou traversant TO-92-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
VN10KN3-G-P003 Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 1mA
Fabricant
Vgs (max.)
±30V
Conditionnement
Bande et bobine
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
60 pF @ 25 V
Statut du composant
Actif
Dissipation de puissance (max.)
1W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Trou traversant
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Boîtier fournisseur
TO-92-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
5V, 10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
5ohms à 500mA, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Disponible sur commande
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Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2 0000,83164 $1 663,28 $
Conditionnement standard du fabricant