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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
JANTXV1N5811US | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 1086-2849-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | JANTXV1N5811US |
Description | DIODE STANDARD 150V 3A B SQMELF |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 35 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 150 V 3A Montage en surface B, SQ-MELF |
Fiche technique | Fiche technique |
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Catégorie | Courant - Fuite inverse à Vr 5 µA @ 150 V |
Fabricant | Capacité à Vr, F 60pF à 10V, 1MHz |
Conditionnement En vrac | Grade Militaire |
Statut du composant Actif | Qualification MIL-PRF-19500/477 |
Technologies | Type de montage |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 150 V | Boîtier |
Courant - Moyen redressé (Io) 3A | Boîtier fournisseur B, SQ-MELF |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 875 mV @ 4 A | Température de fonctionnement - Jonction -65°C ~ 175°C |
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) | Numéro de produit de base |
Temps de recouvrement inverse (trr) 30 ns |
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Substituts (24)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N5811AUS/TR | Microchip Technology | 0 | 150-1N5811AUS/TR-ND | 16,46350 $ | Équivalent paramétrique |
| 1N5811URS | Microchip Technology | 0 | 150-1N5811URS-ND | 50,68090 $ | Équivalent paramétrique |
| 1N5811URS/TR | Microchip Technology | 0 | 150-1N5811URS/TRCT-ND | 46,27000 $ | Équivalent paramétrique |
| 1N5811US | Microchip Technology | 1 871 | 1N5811US-ND | 9,95000 $ | Équivalent paramétrique |
| 1N5811US/TR | Microchip Technology | 395 | 150-1N5811US/TRCT-ND | 11,17000 $ | Équivalent paramétrique |
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| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 16,60000 $ | 16,60 $ |
| 100 | 15,41470 $ | 1 541,47 $ |
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