JAN1N5811US/TR
Numéro de produit DigiKey	150-JAN1N5811US/TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Microchip Technology
Numéro de produit du fabricant	JAN1N5811US/TR
Description	DIODE STANDARD 150V 3A B SQMELF
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	34 semaines
Référence client
Description détaillée	Diode 150 V 3A Montage en surface B, SQ-MELF
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples	Temps de recouvrement inverse (trr) 30 ns
Fabricant Microchip Technology	Courant - Fuite inverse à Vr 5 µA @ 150 V
Conditionnement Bande et bobine	Capacité à Vr, F 60pF à 10V, 1MHz
Statut du composant Actif	Grade Militaire
Technologies Standard	Qualification MIL-PRF-19500/477
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 150 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Moyen redressé (Io) 3A	Boîtier SQ-MELF, B
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 875 mV @ 4 A	Boîtier fournisseur B, SQ-MELF
Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)	Température de fonctionnement - Jonction -65°C ~ 175°C

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Substituts (24)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
1N5811AUS/TR	Microchip Technology	0	150-1N5811AUS/TR-ND	16,46350 $	Équivalent paramétrique
1N5811URS	Microchip Technology	0	150-1N5811URS-ND	50,68090 $	Équivalent paramétrique
1N5811URS/TR	Microchip Technology	0	150-1N5811URS/TRCT-ND	46,27000 $	Équivalent paramétrique
1N5811US	Microchip Technology	1 757	1N5811US-ND	9,95000 $	Équivalent paramétrique
1N5811US/TR	Microchip Technology	395	150-1N5811US/TRCT-ND	11,17000 $	Équivalent paramétrique

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
100	12,54790 $	1 254,79 $

Conditionnement standard du fabricant

JAN1N5811US/TR

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