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APTM100DA33T1G

Numéro de produit DigiKey
150-APTM100DA33T1G-ND
Fabricant
Microsemi Corporation
Numéro de produit du fabricant
APTM100DA33T1G
Description
MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
Référence client
Description détaillée
Canal N 1000 V 23 A (Tc) 390W (Tc) Montage sur châssis SP1
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
1000 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
396mohms à 18A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 2,5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
305 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
7868 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
390W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier fournisseur
SP1
Boîtier
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Obsolète
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