Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique

1N6011C | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 1N6011C-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | 1N6011C |
Description | DIODE ZENER 30V 500MW DO204AH |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Diodes - Zener 30 V 500 mW ±2% Trou traversant DO-204AH (DO-35) |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Courant - Fuite inverse à Vr 100 nA @ 23 V |
Fabricant | Tension - Directe (Vf) (max.) à If 1.1 V @ 200 mA |
Conditionnement En vrac | Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C |
Statut du composant Actif | Type de montage Trou traversant |
Tension - Zener (nom.) (Vz) | Boîtier |
Tolérance ±2% | Boîtier fournisseur DO-204AH (DO-35) |
Puissance - Max. 500 mW | Numéro de produit de base |
Impédance (max.) (Zzt) 78 Ohms |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N5747C | Microchip Technology | 0 | 1N5747C-ND | 5,51754 $ | Équivalent paramétrique |
| 1N5747D | Microchip Technology | 0 | 1N5747D-ND | 6,94139 $ | Équivalent paramétrique |
| 1N6011D | Microchip Technology | 0 | 1N6011D-ND | 7,69780 $ | Équivalent paramétrique |
| BZX55B30-TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 27 921 | 112-BZX55B30-TAPCT-ND | 0,78000 $ | Équivalent paramétrique |
| BZX55B30-TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 28 930 | 112-BZX55B30-TRCT-ND | 0,78000 $ | Équivalent paramétrique |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 228 | 6,16268 $ | 1 405,09 $ |



