LSIC1MO170E1000 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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LFUSCD20120B
1200 V, 80 mOhm SiC MOSFET

LSIC1MO170E1000

Numéro de produit DigiKey
F11760-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
LSIC1MO170E1000
Description
SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L
Référence client
Description détaillée
Canal N 1700 V 5 A (Tc) 54W (Tc) Trou traversant TO-247AD
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
1700 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
15V, 20V
Rds On (max.) à Id, Vgs
1ohms à 2A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
15 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+22V, -6V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
200 pF @ 1000 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
54W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247AD
Boîtier
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Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.