Canal N 1000 V 1,5 A (Tc) 60W (Tc) Montage en surface TO-268AA
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IXTT1N100

Numéro de produit DigiKey
IXTT1N100-ND
Fabricant
IXYS
Numéro de produit du fabricant
IXTT1N100
Description
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO268
Référence client
Description détaillée
Canal N 1000 V 1,5 A (Tc) 60W (Tc) Montage en surface TO-268AA
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
IXYS
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
1000 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
1,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
11ohms à 1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 25µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
480 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
60W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-268AA
Boîtier
TO-268-3, D3PAK (2 sorties + languette), TO-268AA
Numéro de produit de base
IXTT1
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Obsolète
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