Canal N 200 V 120 A (Tc) 714W (Tc) Trou traversant TO-3P
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IXTQ120N20P

Numéro de produit DigiKey
IXTQ120N20P-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IXTQ120N20P
Description
MOSFET N-CH 200V 120A TO3P
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
26 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 200 V 120 A (Tc) 714W (Tc) Trou traversant TO-3P
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
152 nC @ 10 V
Série
Vgs (max.)
±20V
Conditionnement
Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
6000 pF @ 25 V
Statut du composant
Actif
Dissipation de puissance (max.)
714W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Trou traversant
Tension drain-source (Vdss)
200 V
Boîtier fournisseur
TO-3P
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
22mohms à 500mA, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (1)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
STW75NF20STMicroelectronics4 053497-5959-5-ND7,64000 $Similaire
En stock: 1
Vérifier les stocks entrants supplémentaires
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
124,80000 $24,80 $
3015,18967 $455,69 $
12013,08800 $1 570,56 $
51012,06418 $6 152,73 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.