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IXTN22N100L est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.
Substituts disponibles:
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IXTN22N100L | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IXTN22N100L-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IXTN22N100L |
Description | MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 32 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 1000 V 22 A (Tc) 700W (Tc) Montage sur châssis SOT-227B |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 1000 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 20V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 600mohms à 11A, 20V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 5,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 270 nC @ 15 V | |
Vgs (max.) | ±30V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 7050 pF @ 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 700W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage sur châssis | |
Boîtier fournisseur | SOT-227B | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
0 en stock
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 85,63000 $ | 85,63 $ |
| 10 | 65,27300 $ | 652,73 $ |
| 100 | 63,02420 $ | 6 302,42 $ |
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