IXTH60N25 IXYS | Produits semi-conducteurs discrets

IXTH60N25 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IXTH60N25
Numéro de produit DigiKey	IXTH60N25-ND
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXTH60N25
Description	MOSFET N-CH 250V 60A TO247
Référence client
Description détaillée	Canal N 250 V 60 A (Tc) 400W (Tc) Trou traversant TO-247 (IXTH)

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	IXYS
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	250 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	60 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	46mohms à 15A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	164 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4400 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	400W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247 (IXTH)
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	IXTH60