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TO-247-4
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TO-247-4
TO-247-4

IXSJ80N120R1K

Numéro de produit DigiKey
238-IXSJ80N120R1K-ND
Fabricant
IXYS
Numéro de produit du fabricant
IXSJ80N120R1K
Description
1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
32 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 85 A (Tc) 223,2W (Tc) Trou traversant ISO247-4L
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
IXYS
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
85 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V
Rds On (max.) à Id, Vgs
23,4mohms à 40A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
4,8V à 22,2mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
155 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+21V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
4556 pF @ 800 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
223,2W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
ISO247-4L
Boîtier
TO-247-4
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
143,46000 $43,46 $
1031,82300 $318,23 $
30027,16373 $8 149,12 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
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