


IXSH65N120L2KHV | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 238-IXSH65N120L2KHV-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IXSH65N120L2KHV |
Description | 1200V 40M (65A @ 25C) SIC MOSFET |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 27 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 1200 V 65 A (Tc) 375W (Tc) Trou traversant TO-247-4L |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 9mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 110 nC @ 18 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) +20V, -5V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2160 pF @ 800 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 375W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 1200 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-247-4L |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 18V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 52mohms à 20A, 18V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 18,54000 $ | 18,54 $ |
| 10 | 12,83700 $ | 128,37 $ |
| 450 | 8,31904 $ | 3 743,57 $ |
| 900 | 8,16916 $ | 7 352,24 $ |

