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Canal N 1200 V 20 A (Tc) 136W (Tc) Trou traversant TO-247-4L
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Canal N 1200 V 20 A (Tc) 136W (Tc) Trou traversant TO-247-4L
8PowerSFN

IXSH20N120L2KHV

Numéro de produit DigiKey
238-IXSH20N120L2KHV-ND
Fabricant
IXYS
Numéro de produit du fabricant
IXSH20N120L2KHV
Description
1200V 60M (20A @25C) SIC MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
27 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 20 A (Tc) 136W (Tc) Trou traversant TO-247-4L
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
IXYS
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
20 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
15V, 18V
Rds On (max.) à Id, Vgs
208mohms à 5A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 2mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
29 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+20V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
580 pF @ 800 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
136W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247-4L
Boîtier
TO-247-4
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En stock: 550
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
19,72000 $9,72 $
106,52600 $65,26 $
4503,98524 $1 793,36 $
9003,84301 $3 458,71 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.