Name: IXSA65N120L2-7TR
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSA65N120L2-7TR-ND
Price: 14.61 CAD
Availability: OutOfStock

Nouveau produit

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IXSA65N120L2-7TR
Numéro de produit DigiKey	238-IXSA65N120L2-7TR-ND - Bande et bobine 238-IXSA65N120L2-7TRCT-ND - Bande coupée (CT) 238-IXSA65N120L2-7TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXSA65N120L2-7TR
Description	1200V 40M (65A @ 25C) SIC MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 65 A (Tc) 417W (Tc) Montage en surface TO-263-7
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	IXYS
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	65 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V, 18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	53mohms à 20A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 9mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	110 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+20V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2160 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	417W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263-7
Boîtier	TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA