Name: IXFX200N10P
Brand: IXYS
SKU: IXFX200N10P-ND
Price: 14.42453 CAD
Availability: OutOfStock

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Canal N 100 V 200 A (Tc) 830W (Tc) Trou traversant PLUS247™-3

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IXFX200N10P
Numéro de produit DigiKey	IXFX200N10P-ND
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXFX200N10P
Description	MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 200 A (Tc) 830W (Tc) Trou traversant PLUS247™-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	IXYS
Série	HiPerFET™, Polar
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	200 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	7,5mohms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 8mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	235 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	7600 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	830W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PLUS247™-3
Boîtier	TO-247-3 variable
Numéro de produit de base	IXFX200

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Quantité	Prix unitaire	Prix total
300	14,42453 $	4 327,36 $

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