Canal N 500 V 50 A (Tc) 960W (Tc) Montage en surface TO-268AA
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IXFT50N50P3

Numéro de produit DigiKey
IXFT50N50P3-ND
Fabricant
IXYS
Numéro de produit du fabricant
IXFT50N50P3
Description
MOSFET N-CH 500V 50A TO268
Référence client
Description détaillée
Canal N 500 V 50 A (Tc) 960W (Tc) Montage en surface TO-268AA
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
IXYS
Série
HiPerFET™, Polar3™
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
50 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
120mohms à 25A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 4mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
85 nC @ 0 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
4335 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
960W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-268AA
Boîtier
TO-268-3, D3PAK (2 sorties + languette), TO-268AA
Numéro de produit de base
IXFT50
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
120,30000 $20,30 $
3012,33067 $369,92 $
12010,58500 $1 270,20 $
51010,26373 $5 234,50 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.