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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IXFT18N100Q3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IXFT18N100Q3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IXFT18N100Q3 |
Description | MOSFET N-CH 1000V 18A TO268 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 26 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 1000 V 18 A (Tc) 830W (Tc) Montage en surface TO-268AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 6,5V à 4mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 90 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4890 pF @ 25 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 830W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 1000 V | Boîtier fournisseur TO-268AA |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 660mohms à 9A, 10V |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 300 | 29,07633 $ | 8 722,90 $ |
À utiliser avec
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