238~SOT227B~~4
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IXFN75N120SK

Numéro de produit DigiKey
238-IXFN75N120SK-ND
Fabricant
IXYS
Numéro de produit du fabricant
IXFN75N120SK
Description
SIC AND MULTICHIP DISCRETE
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 75 A (Tc) Montage sur châssis SOT-227B
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
IXYS
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
75 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
15V
Rds On (max.) à Id, Vgs
27mohms à 50A, 15V
Vgs(th) (max.) à Id
3,6V à 18mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
158 nC @ 15 V
Vgs (max.)
+15V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
4820 pF @ 1000 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier fournisseur
SOT-227B
Boîtier
SOT-227-4, miniBLOC
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En stock: 200
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
1142,21000 $142,21 $
10118,45900 $1 184,59 $
100102,93530 $10 293,53 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.