IXFN50N120SK IXYS | Produits semi-conducteurs discrets

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IXFN50N120SK
Numéro de produit DigiKey	IXFN50N120SK-ND
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXFN50N120SK
Description	SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 48 A (Tc) Montage sur châssis SOT-227B
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	IXYS
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	48 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	52mohms à 40A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	2,8V à 10mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	115 nC @ 20 V
Vgs (max.)	+20V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1895 pF @ 1000 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage sur châssis
Boîtier fournisseur	SOT-227B
Boîtier	SOT-227-4, miniBLOC
Numéro de produit de base	IXFN50