238~SOT227B~~4
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IXFN32N120P

Numéro de produit DigiKey
IXFN32N120P-ND
Fabricant
IXYS
Numéro de produit du fabricant
IXFN32N120P
Description
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
65 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 32 A (Tc) 1 000W (Tc) Montage sur châssis SOT-227B
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
IXYS
Série
HiPerFET™, Polar
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
32 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
310mohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
6,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
360 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
21000 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1 000W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier fournisseur
SOT-227B
Boîtier
SOT-227-4, miniBLOC
Numéro de produit de base
IXFN32
Questions et réponses sur les produits

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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
1107,34000 $107,34 $
1082,99700 $829,97 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
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