IXFN30N110P est obsolète et n'est plus fabriqué.
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238~SOT227B~~4
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IXFN30N110P

Numéro de produit DigiKey
IXFN30N110P-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IXFN30N110P
Description
MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
Référence client
Description détaillée
Canal N 1100 V 25 A (Tc) 695W (Tc) Montage sur châssis SOT-227B
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
1100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
360mohms à 15A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
6,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
235 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
13600 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
695W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier fournisseur
SOT-227B
Boîtier
Numéro de produit de base
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Obsolète
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Non annulable/Non remboursable