IXFH60N60X3 IXYS | Produits semi-conducteurs discrets

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IXYS

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Fiche technique

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IXFH60N60X3
Numéro de produit DigiKey	238-IXFH60N60X3-ND
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXFH60N60X3
Description	MOSFET ULTRA JCT 600V 60A TO247
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 60 A (Tc) 625W (Tc) Trou traversant TO-247
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	IXYS
Série	HiPerFET™, Ultra X3
Conditionnement	Tube
Statut du composant	En fin de cycle chez Digi-Key
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	60 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	51mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 4mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	51 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3450 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	625W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	IXFH60

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