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Fiche technique
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Canal N 500 V 80 A (Tc) 960W (Tc) Trou traversant PLUS264™
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IXFB80N50Q2

Numéro de produit DigiKey
IXFB80N50Q2-ND
Fabricant
IXYS
Numéro de produit du fabricant
IXFB80N50Q2
Description
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
Référence client
Description détaillée
Canal N 500 V 80 A (Tc) 960W (Tc) Trou traversant PLUS264™
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
IXYS
Série
HiPerFET™, Q2 Class
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
80 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
60mohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5,5V à 8mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
15000 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
960W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
PLUS264™
Boîtier
TO-264-3, TO-264AA
Numéro de produit de base
IXFB80
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Obsolète
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