Canal N 650 V 63 A (Tc) 234W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7-12
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IMBG65R030M1HXTMA1

Numéro de produit DigiKey
448-IMBG65R030M1HXTMA1TR-ND - Bande et bobine
448-IMBG65R030M1HXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT)
448-IMBG65R030M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IMBG65R030M1HXTMA1
Description
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 63 A (Tc) 234W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7-12
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IMBG65R030M1HXTMA1 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
CoolSiC™
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET
Canal N
Technologies
SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
63 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
18V
Rds On (max.) à Id, Vgs
42mohms à 29,5A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
5,7V à 8,8mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
49 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+23V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1643 pF @ 400 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
234W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PG-TO263-7-12
Boîtier
TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Numéro de produit de base
IMBG65
Questions et réponses sur les produits

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En stock: 226
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
Quantité Prix unitaire Prix total
119,74000 $19,74 $
1013,72100 $137,21 $
10010,98400 $1 098,40 $
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 9,50 $.
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
1 0008,97384 $8 973,84 $
Conditionnement standard du fabricant