Name: IAUS300N08S5N012ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUS300N08S5N012ATMA1TR-ND
Price: 10.2 CAD
Availability: InStock

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IAUS300N08S5N012ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IAUS300N08S5N012ATMA1TR-ND - Bande et bobine IAUS300N08S5N012ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IAUS300N08S5N012ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUS300N08S5N012ATMA1
Description	MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 300 A (Tc) 375W (Tc) Montage en surface PG-HSOG-8-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUS300N08S5N012ATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 231 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série OptiMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 16250 pF @ 40 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 375W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 300 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-HSOG-8-1
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier 8-PowerSMD, papillon
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,2mohms à 100A, 10V	Numéro de produit de base IAUS300
Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 275µA