Name: SPW35N60C3FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPW35N60C3FKSA1-ND
Price: 15.22 CAD
Availability: OutOfStock

SPW35N60C3FKSA1
Numéro de produit DigiKey	SPW35N60C3FKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	SPW35N60C3FKSA1
Description	MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 34,6 A (Tc) 313W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SPW35N60C3FKSA1 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	34,6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	100mohms à 21,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,9V à 1,9mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	200 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4500 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	313W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO247-3-1
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	SPW35N60

SPW35N60C3FKSA1