SPP18P06PHXKSA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

Canal P 60 V 18,7 A (Ta) 81,1W (Ta) Trou traversant PG-TO220-3

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SPP18P06PHXKSA1
Numéro de produit DigiKey	SPP18P06PHXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	SPP18P06PHXKSA1
Description	MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 18,7 A (Ta) 81,1W (Ta) Trou traversant PG-TO220-3
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 28 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série SIPMOS®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 860 pF @ 25 V
Conditionnement Tube	Dissipation de puissance (max.) 81,1W (Ta)
Statut du composant Obsolète	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal P	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18,7 A (Ta)	Boîtier fournisseur PG-TO220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-220-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 130mohms à 13,2A, 10V	Numéro de produit de base SPP18P06
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
FQP17P06	onsemi	1 841	FQP17P06-ND	4,13000 $	Similaire

En stock: 1 937

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	3,53000 $	3,53 $
50	1,70920 $	85,46 $
100	1,53180 $	153,18 $
500	1,22030 $	610,15 $
1 000	1,12013 $	1 120,13 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.

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