SPP15P10PLGHKSA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

SPP15P10PLGHKSA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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SPP15P10PLGHKSA1
Numéro de produit DigiKey	SPP15P10PLGHKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	SPP15P10PLGHKSA1
Description	MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
Référence client
Description détaillée	Canal P 100 V 15 A (Tc) 128W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 62 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série SIPMOS®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1490 pF @ 25 V
Conditionnement Tube	Dissipation de puissance (max.) 128W (Tc)
Statut du composant Obsolète	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal P	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 15 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-220-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 200mohms à 11,3A, 10V	Numéro de produit de base SPP15P
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 1,54mA

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Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (3)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IRF9530NPBF	Infineon Technologies	21 142	IRF9530NPBF-ND	2,42000 $	Similaire
SPP15P10PLHXKSA1	Infineon Technologies	279	448-SPP15P10PLHXKSA1-ND	4,25000 $	Équivalent paramétrique
FQP17P10	onsemi	0	FQP17P10-ND	0,00000 $	Similaire

Obsolète

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SPP15P10PLGHKSA1