Name: ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 4.1 CAD
Availability: InStock

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ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Description	ISZ113N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 10 A (Ta), 63 A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8 FL
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	ISZ113N10NM5LF2ATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 5
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10 A (Ta), 63 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	11,3mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,9V à 36µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2300 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta), 100W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TSDSON-8 FL
Boîtier	8-PowerTDFN