Name: ISC018N08NM6SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC018N08NM6SCATMA1TR-ND
Price: 3.41274 CAD
Availability: OutOfStock

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ISC018N08NM6SCATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-ISC018N08NM6SCATMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	ISC018N08NM6SCATMA1
Description	TRENCH 40<-<100V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	52 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 27A (Ta), 230A (Tc) 3W (Ta), 217W (Tc) Montage en surface PG-WSON-8-2
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 6
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	27A (Ta), 230A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	8V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,8mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 114µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	76 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	5400 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3W (Ta), 217W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-WSON-8-2
Boîtier	8-PowerWDFN

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Bande et bobine